概要：以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为主的宽禁带化合物半导体具有优于硅基半导体的电气特性，逐渐成为推动新能源汽车、储能、5G通信、数据中心及大功率高压电力电子设备提升电源转换效率的主流功率器件。然而，化合物半导体产业在材料、制造工艺、成本和应用方案等方面还面临诸多挑战。本届化合物半导体产业发展论坛特邀请国际和国内化合物半导体领域专家，以及氮化镓和碳化硅等材料、衬底和外延设备、功率器件和模组厂商分享第三代半导体最新技术、制造工艺、设计和应用趋势。

亮点：

1.化合物半导体领域院士/专家学者做最新学术研究报告；

2.国际和国内企业的专家分享碳化硅衬底和外延的关键技术和制造工艺难点；

3.氮化镓技术及在射频、数据中心和新能源车中的应用挑战；

4.国产化合物半导体产业现状、全球竞争力及未来发展趋势。

议程：2024年10月16日

联合主办单位：深芯盟、行家说三代半、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟

主要议题及演讲嘉宾

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适合观众：

1.SiC/GaN芯片设计工程师和系统架构师

2.碳化硅/氮化镓制造工艺和工程技术人员

3.功率器件和模组封装技术人员

4.化合物半导体行业研发、营销、应用方案和供应链管理专业人士

会议形式：闭门会议，观众需持VIP入场证明，可以提前或现场购买VIP门票。