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随着集成电路产业的迅猛发展，传统半导体器件的尺寸迅速减少，以及新兴集成电路和材料的出现，这些传统的TCAD方法和软件已经面临着巨大的挑战，相应的辅助计算模拟和工艺设计软件发展遇到瓶颈，将完全无法承担10nm左右的电子器件的设计问题。

其主要困难来自于：

（1）当器件到达纳米尺度甚至原子尺度时，量子效应将起重要作用，而传统的模型和方法没有完备地包含量子效应；

（2）随着器件尺寸的缩小，微观的材料结构，制备，和工艺的差异，将会对器件的性质带来极其显著影响，而传统的模型和方法很难处理材料和器件细节对功能的影响；

（3）经验和经典的TCAD设计方法和软件依赖于大量的实验参数，然而当器件达到纳米尺度后，通过实验手段获得可靠的参数变得越来越困难和费时费力；

（4）诸多新型电子器件和电子材料的不断问世，完全超出了传统TCAD方法的应用范围。这些新型电子器件已经和即将在MRAM，太阳能，电动汽车，生物技术等领域有巨大应用前景。在传统TCAD模拟方法面临诸多困难的情况下，基于原子水平的TCAD应运而生。

演讲嘉宾简介

曹荣根
复旦大学材料科学系材料物理与化学专业，博士。
长期从事集成电路器件和工艺研究，发表 SCI 文章 15 篇，拥有专利5项。
2003年与日本滨松光子株式会社合作，共同组建当时国内最先进的集成电路失效定位分析实验室，该实验室先后为国内300家半导体企业开展过相关服务。
2014年发起成立鸿之微科技（上海）股份有限公司并出任董事长。

活动报名：
免费参加，现场提供精美茶歇。

报名热线：

蒋小姐   TEL: 13817054635  Email: cjiang@wintechm.cn

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